Method for grinding silicon carbide single crystal



【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、且つ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。 【解決手段】 坩堝蓋体3を切削予定面Cの位置でワイヤーソーを用いて切断する。切削予定面Cから種結晶載置部3Cの表面までの厚さtは、種結晶4を含む炭化ケイ素単結晶5の成長高さhの3倍以下になるように設定する。次いで、炭化ケイ素単結晶5を研削装置の中空円筒状砥石を用いて研削(円形加工)する。 【選択図】 図2
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for grinding silicon carbide single crystal with which a silicon carbide single crystal can be easily and efficiently cut out in a state free of damages such as a crack. SOLUTION: The method comprises the steps of cutting a lid body 3 of a crucible by using a wire-saw at a position of cut-scheduled surface C, wherein the thickness t from the cut-scheduled surface C to the surface of a seed crystal loading part 3C is set to be threefold or less of the growing height h of the silicon carbide single crystal 5 including the seed crystal 4; and then, grinding (circularly processing) the silicon carbide single crystal 5 by using a hollow cylindrical whetstone of a grinding apparatus. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT




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