Method for grinding silicon carbide single crystal

炭化ケイ素単結晶の研削方法

Abstract

【課題】 炭化ケイ素単結晶を効率よく、且つ割れ等の破損がない状態で容易に切り出すことができる炭化ケイ素単結晶の研削方法を提供する。 【解決手段】 坩堝蓋体3を切削予定面Cの位置でワイヤーソーを用いて切断する。切削予定面Cから種結晶載置部3Cの表面までの厚さtは、種結晶4を含む炭化ケイ素単結晶5の成長高さhの3倍以下になるように設定する。次いで、炭化ケイ素単結晶5を研削装置の中空円筒状砥石を用いて研削(円形加工)する。 【選択図】 図2
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for grinding silicon carbide single crystal with which a silicon carbide single crystal can be easily and efficiently cut out in a state free of damages such as a crack. SOLUTION: The method comprises the steps of cutting a lid body 3 of a crucible by using a wire-saw at a position of cut-scheduled surface C, wherein the thickness t from the cut-scheduled surface C to the surface of a seed crystal loading part 3C is set to be threefold or less of the growing height h of the silicon carbide single crystal 5 including the seed crystal 4; and then, grinding (circularly processing) the silicon carbide single crystal 5 by using a hollow cylindrical whetstone of a grinding apparatus. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

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Patent Citations (6)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2004186589-AJuly 02, 2004Denso Corp, 株式会社デンソーMethod and apparatus for manufacturing semiconductor substrate
    JP-2006248825-ASeptember 21, 2006Denso Corp, 株式会社デンソーSilicon carbide ingot and its manufacturing method
    JP-2008132559-AJune 12, 2008Bridgestone Corp, 株式会社ブリヂストン炭化ケイ素単結晶の研削方法
    JP-2008133152-AJune 12, 2008Bridgestone Corp, 株式会社ブリヂストン炭化ケイ素単結晶の研削方法
    JP-2009102196-AMay 14, 2009Denso Corp, 株式会社デンソー炭化珪素単結晶基板の製造方法
    JP-H0558781-AMarch 09, 1993Sanyo Electric Co Ltd, 三洋電機株式会社多結晶シリコン半導体の製造方法

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    Title

Cited By (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    CN-105710975-AJune 29, 2016江西中昱新材料科技有限公司Crucible fixing device
    CN-105917034-AAugust 31, 2016住友电气工业株式会社Process for producing single-crystal silicon carbide
    EP-3101160-A4October 04, 2017Sumitomo Chemical CoHalbleitersubstratherstellungsverfahren
    JP-WO2015114732-A1March 23, 2017住友化学株式会社半導体基板の製造方法