Semiconductor device and method of manufacturing the same

半導体装置およびその製造方法

Abstract

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。 【解決手段】 シリコン基板1の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜4と配線5との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部3が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部3の上面にはパッシベーション膜7および保護膜9が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部3の周囲におけるシリコン基板1の上面には側部絶縁膜11がその上面が保護膜9の上面とほぼ面一となるように設けられている。これにより、低誘電率膜4が剥離しにくい構造となっている。 【選択図】 図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a low dielectric film from being peeled in a semiconductor device including a low dielectric film wiring laminate structural part composed of a laminate structure of a silicon structure, a low dielectric film provided on the silicon substrate, and wiring. <P>SOLUTION: In a region excluding a peripheral part of an upper surface of a silicon substrate 1, there is provided a low dielectric film wiring laminate structural part 3 composed of a laminate structure at a low dielectric film 4 and a wiring 5. On the upper surface of the low dielectric film wiring laminate structural part 3, there are provided a passivation film 7 and a protective film 9. On the upper surface of the silicon substrate 1 around the low dielectric film wiring laminate structural part 3, there is provided a side part insulating film 11 such that its upper surface is substantially flush with the upper surface of the protective film 9. Hereby, the low dielectric film 4 is prevented from been peeled. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

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