半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Method and apparatus for manufacturing semiconductor apparatus

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress an adhesion of a particle on the surface of a semiconductor wafer when removing an insulating film formed on the both sides of the semiconductor wafer. <P>SOLUTION: A method and apparatus for manufacturing the semiconductor apparatus includes: a step S22 of forming the insulating film on the surface in which a semiconductor device of the semiconductor wafer is formed and on the rear surface; a step S26 of removing the insulating film formed on the rear surface by selectively supplying a first chemical on the rear surface; and a step S30 of removing the insulating film formed on the surface by immersing a plurality of semiconductor wafers to a second chemical at the same time. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
【課題】半導体ウエハの両面に形成された絶縁膜を除去する際に、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着することを抑制すること。 【解決手段】本発明は、半導体ウエハの半導体素子を形成すべき面である表面及び該表面の反対の面である裏面に絶縁膜を形成する工程S22と、半導体ウエハの前記裏面に選択的に第1薬液を供給することにより、前記裏面に形成された前記絶縁膜を除去する工程S26と、第2薬液に複数の半導体ウエハを同時に浸漬させることにより、表面に形成された絶縁膜を除去する工程S30と、を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置である。 【選択図】図6

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